ספּוטטערינג טאַרגאַץ קאַטעגאָריע צעטיילט דורך מאַגנעטראָן ספּוטערינג טעכנאָלאָגיע

עס קענען זיין צעטיילט אין דק מאַגנטראָן ספּוטערינג און רף מאַגנטראָן ספּוטערינג.

די דק ספּוטערינג אופֿן ריקווייערז אַז דער ציל קענען אַריבערפירן די positive אָפּצאָל באקומען פון די יאָן באָמבאַרדמענט פּראָצעס צו די קאַטאָוד אין נאָענט קאָנטאַקט מיט אים, און דער אופֿן קענען בלויז ספּיטער די אָנפירער דאַטן, וואָס איז נישט פּאַסיק פֿאַר די ינסאַליישאַן דאַטן, ווייַל יאָן אָפּצאָל אויף די ייבערפלאַך קענען ניט זיין נוטראַלייזד ווען באָמבאַרדינג די ינסאַליישאַן ציל, וואָס וועט פירן צו די פאַרגרעסערן פון די פּאָטענציעל אויף די ציל ייבערפלאַך, און כּמעט אַלע די געווענדט וואָולטידזש איז געווענדט צו דער ציל, אַזוי די גיכער פון יאָן אַקסעלעריישאַן און ייאַנאַזיישאַן צווישן צוויי פּויליש וועט זיין רידוסט, אָדער אפילו קענען ניט זיין ייאַנייזד, עס פירט צו דורכפאַל פון קעסיידערדיק אָפּזאָגן, אפילו אָפּזאָגן יבעררייַס און ספּאַטערינג יבעררייַס.דעריבער, ראַדיאָ אָפטקייַט ספּוטערינג (רף) מוזן זיין געניצט פֿאַר ינסאַלייטינג טאַרגאַץ אָדער ניט-מעטאַלליק טאַרגאַץ מיט אַ נידעריק קאַנדאַקטיוואַטי.

דער ספּוטערינג פּראָצעס ינוואַלווז קאָמפּלעקס צעוואָרפן פּראַסעסאַז און פאַרשידן ענערגיע אַריבערפירן פּראַסעסאַז: ערשטער, די אינצידענט פּאַרטיקאַלז קאַלייד עלאַסטיקלי מיט די ציל אַטאָמס, און טייל פון די קינעטיק ענערגיע פון ​​די אינצידענט פּאַרטיקאַלז וועט זיין טראַנסמיטטעד צו די ציל אַטאָמס.די קינעטיק ענערגיע פון ​​עטלעכע ציל אַטאָמס יקסידז די פּאָטענציעל שלאַבאַן געשאפן דורך אנדערע אַטאָמס אַרום זיי (5-10עוו פֿאַר מעטאַלס), און דאַן זיי זענען נאַקט אויס פון די לאַטאַס לאַטאַס לאַטאַס צו פּראָדוצירן אַוועק-פּלאַץ אַטאָמס, און ווייַטער ריפּיטיד קאַליזשאַנז מיט שכייניש אַטאָמס , ריזאַלטינג אין אַ צונויפשטויס קאַסקייד.ווען דעם צונויפשטויס קאַסקייד ריטשאַז די ייבערפלאַך פון די ציל, אויב די קינעטיק ענערגיע פון ​​די אַטאָמס נאָענט צו די ייבערפלאַך פון די ציל איז גרעסער ווי די ייבערפלאַך ביינדינג ענערגיע (1-6עוו פֿאַר מעטאַלס), די אַטאָמס וועט באַזונדער פון די ייבערפלאַך פון די ציל. און אַרייַן די וואַקוום.

ספּוטערינג קאָוטינג איז די בקיעס פון ניצן באפוילן פּאַרטיקאַלז צו באַמבאַרד די ייבערפלאַך פון די ציל אין וואַקוום צו מאַכן די באַמבאַרדיד פּאַרטיקאַלז אָנקלייַבן אויף די סאַבסטרייט.טיפּיקאַללי, אַ נידעריק-דרוק ינערט גאַז שייַנען אָפּזאָגן איז געניצט צו דזשענערייט ינסידענט ייאַנז.די קאַטאָוד ציל איז געמאכט פון קאָוטינג מאַטעריאַלס, די סאַבסטרייט איז געניצט ווי די אַנאָוד, 0.1-10פּאַ אַרגאָן אָדער אנדערע ינערט גאַז איז באַקענענ אין די וואַקוום קאַמער, און שייַנען אָפּזאָגן אַקערז אונטער דער קאַמף פון קאַטאָוד (ציל) 1-3קוו דק נעגאַטיוו הויך. וואָולטידזש אָדער 13.56 מהז רף וואָולטידזש.יאָניזעד אַרגאָן ייאַנז באָמבאַרדירן די ייבערפלאַך פון די ציל, קאָזינג די ציל אַטאָמס צו שפּריצן און אָנקלייַבן אויף די סאַבסטרייט צו פאָרעם אַ דין פילם.דערווייַל, עס זענען פילע ספּאַטערינג מעטהאָדס, דער הויפּט אַרייַנגערעכנט צווייטיק ספּוטערינג, טערשערי אָדער קוואַטערנערי ספּוטערינג, מאַגנטראָן ספּוטערינג, ציל ספּוטערינג, רף ספּאַטערינג, פאָרורטייל ספּאַטערינג, אַסיממעטריק קאָמוניקאַציע רף ספּאַטערינג, יאָן שטראַל ספּוטערינג און ריאַקטיוו ספּאַטערינג.

ווייַל די ספּאַטערד אַטאָמס זענען שפּריצן אויס נאָך יקסטשיינדזשינג קינעטיק ענערגיע מיט positive ייאַנז מיט טענס פון עלעקטראָן וואלטס ענערגיע, די ספּאַטערד אַטאָמס האָבן הויך ענערגיע, וואָס איז קאַנדוסיוו צו פֿאַרבעסערן די דיספּערשאַן פיייקייט פון אַטאָמס בעשאַס סטאַקינג, פֿאַרבעסערן די פינענאַס פון סטאַקינג אָרדענונג און מאַכן. די צוגעגרייט פילם האָבן שטאַרק אַדכיזשאַן מיט די סאַבסטרייט.

בעשאַס ספּאַטערינג, נאָך די גאַז איז ייאַנייזד, די גאַז ייאַנז פליען צו די ציל פארבונדן צו די קאַטאָוד אונטער דער קאַמף פון עלעקטריק פעלד, און די עלעקטראָנס פליען צו די גראָונדעד וואַנט קאַוואַטי און סאַבסטרייט.אין דעם וועג, אונטער נידעריק וואָולטידזש און נידעריק דרוק, די נומער פון ייאַנז איז קליין און די ספּאַטערינג מאַכט פון די ציל איז נידעריק;אין הויך וואָולטידזש און הויך דרוק, כאָטש מער ייאַנז קענען פּאַסירן, די עלעקטראָנס פליענדיק צו די סאַבסטרייט האָבן הויך ענערגיע, וואָס איז גרינג צו היץ די סאַבסטרייט און אפילו צווייטיק ספּוטערינג, אַפעקטינג די פילם קוואַליטעט.אין דערצו, די מאַשמאָעס פון צונויפשטויס צווישן ציל אַטאָמס און גאַז מאַלאַקיולז אין דעם פּראָצעס פון פליענדיק צו די סאַבסטרייט איז אויך זייער געוואקסן.דעריבער, עס וועט זיין צעוואָרפן צו די גאנצע קאַוואַטי, וואָס וועט ניט בלויז וויסט די ציל, אָבער אויך באַשמוצן יעדער שיכטע בעשאַס דער צוגרייטונג פון מולטילייַער פילמס.

אין סדר צו סאָלווע די אויבן שאָרטקאָמינגס, DC מאַגנטראָן ספּוטערינג טעכנאָלאָגיע איז דעוועלאָפּעד אין די 1970 ס.עס יפעקטיוולי מנצח די שאָרטקאָמינגס פון נידעריק קאַטאָוד ספּיטערינג קורס און די פאַרגרעסערן פון סאַבסטרייט טעמפּעראַטור געפֿירט דורך עלעקטראָנס.דעריבער, עס איז דעוועלאָפּעד ראַפּאַדלי און וויידלי געניצט.

דער פּרינציפּ איז ווי פאלגענד: ביי מאגנעטראנען שפאטערן, ווייל די באוועגליכע עלעקטראנען ווערן אונטערטעקט מיט לארענץ קראפט אינעם מאגנאטישן פעלד, וועט זייער באוועגונגס-ארביט זיין טוישט אדער אפילו ספיראליש באוועגונג, און זייער באוועגונגס-וועג וועט ווערן לענגער.דעריבער, די נומער פון קאַליזשאַנז מיט ארבעטן גאַז מאַלאַקיולז איז געוואקסן, אַזוי אַז די פּלאַזמע געדיכטקייַט איז געוואקסן, און די מאַגנטראָן ספּוטערינג קורס איז זייער ימפּרוווד, און עס קענען אַרבעטן אונטער נידעריקער ספּוטערינג וואָולטידזש און דרוק צו רעדוצירן די טענדענץ פון פילם פאַרפּעסטיקונג;אויף די אנדערע האַנט, עס אויך ימפּרוווז די ענערגיע פון ​​אַטאָמס ינסידענט אויף די ייבערפלאַך פון די סאַבסטרייט, אַזוי די קוואַליטעט פון די פילם קענען זיין ימפּרוווד צו אַ גרויס מאָס.אין דער זעלביקער צייט, ווען די עלעקטראָנס וואָס פאַרלירן ענערגיע דורך קייפל קאַליזשאַנז דערגרייכן די אַנאָוד, זיי זענען געווארן נידעריק-ענערגיע עלעקטראָנס, און דעמאָלט דער סאַבסטרייט וועט נישט אָוווערכיט.דעריבער, מאַגנטראָן ספּוטערינג האט די אַדוואַנטידזשיז פון "הויך גיכקייַט" און "נידעריק טעמפּעראַטור".די כיסאָרן פון דעם אופֿן איז אַז די ינסאַלייטער פילם קענען ניט זיין צוגעגרייט, און די אַניוואַן מאַגנעטיק פעלד געניצט אין די מאַגנטראָן ילעקטראָוד וועט פאַרשאַפן קלאָר ווי דער טאָג אַניוואַן עטשינג פון די ציל, ריזאַלטינג אין אַ נידעריק יוטאַלאַזיישאַן קורס פון די ציל, וואָס איז בכלל בלויז 20% - 30 %.